antony_w (antony_w) wrote,
antony_w
antony_w

Categories:

Разработана энергоэффективная магнитная оперативная память



Южнокорейские ученые продемонстрировали новый способ повышения энергоэффективности энергонезависимого запоминающего устройства SOT-MRAM. Это изобретение открывает новые возможности для создания магнитной памяти на основе технологии спинтроники.

В современных компьютерах память с произвольной выборкой (RAM) используется для хранения информации. SOT-MRAM (spin-orbit torque magnetic RAM, запись данных с помощью спин-орбитального вращательного момента) — один из лучших вариантов технологии следующего поколения, которая должна превзойти по производительности существующие виды оперативной памяти. SOT-MRAM может работать быстрее и сохранять информацию даже после отключения энергии.

Однако в нынешнем состоянии технология SOT-MRAM не выгодна экономически, поскольку требует слишком много энергии для записи информации, сообщает Science Daily.

Суть технологии заключается в том, что меняя направление намагничивания крошечных магнитов, можно записывать информацию. Изменение направления достигается за счет феномена SOT (спин-орбитального вращательного момента) под действием тока. Для повышения энергоэффективности применяются мягкие магниты, которыми проще управлять малыми токами. Однако они слишком чувствительны и могут менять направление намагничивания даже из-за помех. По этой причине чаще используют жесткие магниты, что плохо влияет на энергоэффективность системы.

Ученые из Пхоханского университета науки и технологии и Сеульского национального университета продемонстрировали метод повышения энергоэффективности без ущерба для надежности хранения данных.

Оказалось, что сверхтонкий теллурид железа-германия (FGT) — ферромагнитный материал с особой геометрической симметрией и квантовыми свойствами — может переключаться из состояния мягкого магнита в состояние жесткого под действием малых токов. То есть, когда запись информации не нужна, материал остается в состоянии жесткого магнита.

Эксперименты показали, что магнитная память на базе FTG обладает высокой энергетической эффективностью. В частности, значение SOT на плотность примененного тока на два порядка больше, чем у других материалов, из которых изготавливают SOT-MRAM.

«Наше открытие указывает на поразительные возможности электрической модуляции и создания спинтронных устройств с использованием двухмерных слоеных магнитных материалов», — сказал профессор Ли Хьюн Ву, один из руководителей научной группы.

Tags: память
Subscribe

Posts from This Journal “память” Tag

promo antony_w august 17, 2014 11:48 18
Buy for 10 tokens
Есть блог, в котором написано много постов про роботов: ссылка И там есть несколько статей о замене рабочих мест человека роботами: Уже к 2018 году роботы отберут у человека часть профессий Рабский труд без зарплаты Армия роботов: зачем она нужна обильной людьми Поднебесной и кому может…
  • Post a new comment

    Error

    default userpic

    Your IP address will be recorded 

    When you submit the form an invisible reCAPTCHA check will be performed.
    You must follow the Privacy Policy and Google Terms of use.
  • 1 comment